[10p-W922-1~8] イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

[10p-W922-5] GaAsへのイオン注入技術－LSI実現をめざして－

〇葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：GaAs、イオン注入、活性化熱処理

GaAsへのイオン注入技術について歴史的な背景を含めて概観する。GaAsは高速・高周波用半導体として期待を集め、特に1980年代にはSi-LSIに代わる次世代LSIとして注目された。その特徴は、半絶縁性GaAs基板にn型不純物元素を直接イオン注入するものであり、薄いFETチャネル導電層の形成と低抵抗のコンタクト層の形成について研究開発が進められた。各技術の特徴についてレビューを行う。