[10p-W934-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-W934-1] パルス光伝導法による超低密度の金属汚染評価

〇熊谷 祐希¹、葛川 翔太郎¹、松山 浩輝¹、阿部 成海¹、島津 裕一郎¹、永友 航太郎²、中山 雄介²、中村 駿佑²、小林 一博¹、久保田 弘¹、橋新 剛¹、吉岡 昌雄² (1.熊本大院自、2.熊本大工)

キーワード：半導体

パルス光伝導法とは内部光電効果と絶縁体の誘電分極を用いて絶縁体の伝導率を測定する手法である。パルス光伝導法は、従来の測定法では検出できない超低密度の金属汚染を評価することが可能である。また、非破壊・非接触での検査が可能であるため測定対象に与えるストレスが非常に小さく、インライン計測を行える。