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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-W934-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2019年3月10日(日) 13:30 〜 16:45 W934 (W934)

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)

15:00 〜 15:15

[10p-W934-6] 有限バイアス下における層間トンネル過程の非平衡グリーン関数解析

〇(M1)三島嵩也¹、田中一¹、橋本風渡¹、森伸也¹ (1.阪大工)

キーワード：層間トンネル過程、２次元材料トンネルFET、シミュレーション