[10p-W934-1~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-W934-8] PN-Body Tied SOIFETの重イオン照射誘起電流

〇古川 遼太¹、呉 研¹、高橋 芳浩¹ (1.日大理工)

キーワード：半導体、耐放射線性デバイス、デバイスシミュレータ

近年、提案されているBody Tie構造にpn接合を導入したPN Body Tied SOIFETの耐放射線性について検討するため、3次元デバイスシミュレータを用いて、PNBTデバイスの重イオン照射誘起電流について評価した。その結果急峻なサブスレッショルド特性の発現に必要なBody Tie端子電圧の増加と共に、PNBTデバイスの収集電荷量がBody Tieなしの従来のMOSFETよりも大きくなってしまう事を明らかにした。