The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[10p-W934-1~12] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

Sun. Mar 10, 2019 1:30 PM - 4:45 PM W934 (W934)

Koichiro Saga(Sony), Nobuya Mori(Osaka Univ.)

3:45 PM - 4:00 PM

[10p-W934-9] Development of dynamic deterioration model of MOSFET under TID effect

Yuta Oshima1, Motoki Ando1, Kenji Hirakawa1, Masayuki Iwase1, Munehiro Ogasawara1, Takashi Yoda1, Noboru Ishihara1, Hiroyuki Ito1 (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Total Ionizing Dose effect, CMOS circuit, simulation

我々は放射線に長期間晒される環境で顕著な劣化を引き起こすTIDの対策技術を検討している.本研究は,TIDによるMOSFETの特性劣化をVerilog-Aを用いてモデル化し,TIDがCMOS回路へ与える影響と対策をシミュレーションにて考察することを目的として実施した.ドライバ回路にモデルを適用することでTIDによるNMOSのリーク電流増加の影響と対策を明らかにした.