3:45 PM - 4:00 PM
△ [10p-W934-9] Development of dynamic deterioration model of MOSFET under TID effect
Keywords:Total Ionizing Dose effect, CMOS circuit, simulation
我々は放射線に長期間晒される環境で顕著な劣化を引き起こすTIDの対策技術を検討している.本研究は,TIDによるMOSFETの特性劣化をVerilog-Aを用いてモデル化し,TIDがCMOS回路へ与える影響と対策をシミュレーションにて考察することを目的として実施した.ドライバ回路にモデルを適用することでTIDによるNMOSのリーク電流増加の影響と対策を明らかにした.