[11a-70A-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [11a-70A-10] 低温H₂O-POAとH₂-POAの組合わせによる4H-SiC pチャネルMOSFETの特性向上

〇小柳 潤¹、喜多 浩之¹ (1.東京大工)

キーワード：MOS界面

4H-SiC pチャネルMOSFETに対して、ドライ酸化後に低温H₂O-POAとH₂-POAを施すことで、界面特性の向上図った。D_itおよび移動度の観点から、このプロセスが界面特性向上の効果を持つことが明らかになった。