2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[11a-70A-1~10] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年3月11日(月) 09:00 〜 11:45 70A (創立70周年記念講堂)

畠山 哲夫(富山県立大)

09:30 〜 09:45

[11a-70A-3] リン処理によるSiC/SiO2界面の炭素関連欠陥の低減機構

〇(P)小林 拓真1,2、松下 雄一郎1、奥田 貴史2、木本 恒暢2、押山 淳3 (1.東工大フロンティア、2.京大院工、3.名大未来研)

キーワード:界面欠陥、第一原理計算

SiC MOSFET では、SiC/SiO2界面の高密度欠陥準位による移動度劣化が問題となっている。酸化後のP 処理(POCl3, O2, N2 の混合ガスアニール) が界面準位低減に有効であることが実験的に示されたが、そのメカニズムの理解は十分でない。本研究では、特にC 欠陥に焦点を当て、P 処理がC欠陥を低減する機構について第一原理計算により調べた結果を報告する。