[11a-70A-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-70A-3] リン処理によるSiC/SiO₂界面の炭素関連欠陥の低減機構

〇(P)小林 拓真^1,2、松下 雄一郎¹、奥田 貴史²、木本 恒暢²、押山 淳³ (1.東工大フロンティア、2.京大院工、3.名大未来研)

キーワード：界面欠陥、第一原理計算

SiC MOSFET では、SiC/SiO₂界面の高密度欠陥準位による移動度劣化が問題となっている。酸化後のP 処理(POCl₃, O₂, N₂ の混合ガスアニール) が界面準位低減に有効であることが実験的に示されたが、そのメカニズムの理解は十分でない。本研究では、特にC 欠陥に焦点を当て、P 処理がC欠陥を低減する機構について第一原理計算により調べた結果を報告する。