[11a-70A-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-70A-9] SiO₂ /4H-SiC界面窒化後のH₂OアニールがMOSFET特性に与える効果

〇(M2)西田 水輝¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：SiC、界面、アニール