[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-3] 大気圧熱プラズマジェット照射後のポストアニールによるGa極性面GaNにイオン注入したMgの活性化促進

〇花房 宏明¹、東 清一郎¹、塩崎 宏司² (1.広島大　先端研、2.名大　未来システム研)

キーワード：GaN、大気圧熱プラズマジェットアニール、Mg活性

我々は短時間で高温熱処理が可能な大気圧熱プラズマジェット(TPJ)を用いてGa極性面GaN層にイオン注入したMgの不純物活性化熱処理を表面保護膜無しで行い、PN接合が形成されていると考えられる結果を報告した[1]。TPJアニールによる不純物活性化熱処理後にRTAを施すことでさらにMg不純物の活性化が促進されていると考えられる電気特性およびPL発光の結果が得られたので報告する。