[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-5] ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位

〇堀田 昌宏^1,2、成田 哲生³、加地 徹²、上杉 勉³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田中研)

キーワード：窒化ガリウム、深い準位、過渡容量分光法(DLTS)

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，MOVPE成長ホモエピn-GaNに対して，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．今回は，高エネルギー2 MeV電子線照射を行い，NおよびGa両原子の変位を発生させたn型GaNに対して，DLTS測定を行い，形成される準位について調べた．DLTSスペクトルにおいて，低エネルギー(400 keV以下)電子線照射で観測されるピークに加えて新たに3つのピークが観測された．これらは，Ga空孔あるいは格子間Gaのいずれかに関連する準位であるといえる．