[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動

〇遠藤 彗¹、堀田 昌宏^2,3、須田 淳^2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、点欠陥、電子線照射

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，意図的に点欠陥を導入し，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまで，エネルギー401 keVの電子線を照射することによってGaN中のN原子変位を意図的に発生させ，2つの深い準位EE1(E_c-0.13 eV)およびEE2(E_c-0.9 eV)がDLTS測定によって観測されることを報告してきた．本研究では，これまでよりも高いフルエンスの電子線照射を行い，EE1を詳細に評価したので報告する．