[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-7] 光DLTS 法によるMOVPE n-GaN 正孔トラップH1 の分離評価

〇(M1)伊藤 俊¹、徳田 豊¹ (1.愛知工大)

キーワード：光DLTS、MCTS

禁制帯幅以上の光パルスを用いて観測される正孔トラップH1のMCTS信号には複数の近接したエネルギー準位のトラップが含まれる可能性がある。その信号分離を目的として禁制帯幅以下の光パルスを用いるODLTS測定を行った。試料はGaN及びSiC基板上にMOVPE成長した n-GaNである。MCTS測定では両試料ともH1が観測されたが、ODLTS測定ではSiC基板上n-GaNの大きな高時定数側へのピークシフトが見られた。異なった温度のODLTS測定から、分離評価を試みている。