[11a-M121-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-M121-8] 水素イオン注入n-GaNに導入される正孔トラップの評価

〇(M1)田村 和也¹、伊豫田 健¹、徳田 豊¹、塩島 謙次²、伊藤 成志³、八木 孝秀³ (1.愛知工大、2.福井大院、3.住重アテックス)

キーワード：MCTS、イオン注入

ショットキーダイオードに対するMCTS法を用い、水素イオン注入MOCVD n-GaNの正孔トラップの評価を行った。未注入試料では主な正孔トラップとして炭素に関連するH1トラップ（E_v+0.86 eV）が観測される。水素イオン注入後には、H1トラップより長い正孔放出時定数をもつH0とラベルした正孔トラップが観測された。H0準位は測定逆バイアス条件により変わるので、現在その解析を行っている。