[11a-PB3-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[11a-PB3-1] 非対称な書き込み・読み出しレイテンシを持つReRAMを用いた半導体ストレージシステム

〇安達 優¹、松井 千尋²、竹内 健^1,2 (1.中央大学理工、2.中央大学研究開発機構)

キーワード：抵抗変化型メモリ、NAND型フラッシュメモリ、半導体ストレージ