[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-PB4-18] Investigation of water splitting using NiO/InGaN/n-GaN photoanodes

〇Kazuhide Kumakura¹, Yuya Uzumaki², Yoko Ono², Takeshi Komatsu² (1.NTT BRL, 2.NTT DTL)

Keywords:InGaN, water splitting, photoelectrochemical measurement

窒化物半導体は、混晶組成により赤外から紫外域の光を吸収でき、太陽光を利用した光水分解用陽極の光吸収層として有望な材料である。これまで我々は、AlGaN系光陽極を用いた光水分解を通した水素発生の高効率・長寿命化の検討を行ってきた。今回、AlGaN系よりバンドギャップが狭く、より長波長の光を吸収できるInGaNを光吸収層として用い、そのIn組成を変えた光陽極における光水分解特性について評価・検討した。