[11a-PB4-1~18] 15.4 III-V-group nitride crystals

[11a-PB4-17] First-principles calculations of spontaneous polarization in GaN

〇Takuya Sekikawa¹, Kenji Shiraishi², Susumu Sasaki^3,4, Yoshiaki Ono⁵ (1.Graduate School of Science & Technology Niigata Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.Faculty of Engineering Niigata Univ., 4.AMED SENTAN, 5.Faculty of Science, Niigata Univ.)

Keywords:semiconductor, first-principles calculation

GaN/AlGaN界面を用いるHEMTは，ドーパントを用いずに2次元電子ガスが形成されること等から，GaNでは自発分極が生じていることが示唆されてきた。しかし、我々の知る限り，自発分極についての理論的な報告はなされていないので第一原理計算ソフトウェアOpenMX及びWIEN2kに基づいた電荷解析や電場勾配の解析計算結果を議論する。