[11a-S011-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11a-S011-4] Preparation of Ga₂O₃: Cd nanocrystals by chemical synthesis and band gap control

〇Takuya Funakoshi¹, Akira Tsuno², Hiroyuki Ohtani³, Kenichi Shudo^1,2, Kohki Mukai^1,2 (1.Yokohama National Univ.Graduate School of Engineering Science, 2.Yokohama National Univ.Graduate School of Engineering, 3.Yokohama National Univ.Graduate School of Environment and Information Sciences)

Keywords:band gap, Ga2O3:Cd nanocrystals

Ga₂O₃の最も重要な特徴はバンドギャップが広いことであり、その特徴を活用した高耐電圧の電子デバイスや短波長の光デバイスの研究が開始されている。デバイス作製では様々なバンドギャップをもつ材料を組み合わせる必要がある。本研究では、Ga₂O₃のバンドギャップを制御できる元素としてCdを見出した。作製したGa₂O₃:Cdナノ結晶の物性評価の結果を報告する。