[11a-S011-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11a-S011-7] Composition and substrate dependence of crystal and electronic structures of (Ga_xIn_1-x)₂O₃ alloy system

〇Takeshi Hoga^1,2, Toyohiro Chikyow², Takahiro Nagata² (1.NIT,Tsuruoka College, 2.NIMS)

Keywords:Gallium oxide, Indium oxide, Crystal structure control

本研究では、非平衡薄膜合成手法を用いて、単結晶基板と固溶体化によってGa₂O₃とIn₂O₃の構造制御の可能性の検討と物性がどの様に変化するかを検討した。系統的な物性評価のためにコンビナトリアル手法によって(Ga_xIn_1-x)₂O₃固溶体組成傾斜薄膜試料を作製し、その物性評価を行った結果を報告する。