[11a-S011-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[11a-S011-9] 【Highlight】High-aspect etching of b-Ga2O3 by hydrogen atmosphere anisotropic thermal etching (HEATE)

〇Yuuki Ooe¹, Yuske Namae¹, Akihiro Matsuoka¹, Yusei Kawasaki¹, Daichi Ito¹, Yuuta Moriya¹, Rie Togashi¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ, 2.Sophia Nanotechnology Research Center)

Keywords:Ga2O3, nano etching

酸化ガリウム（Ga₂O₃）は、4.5eVの大きなバンドギャップと良好な電気特性を有し、パワーデバイスを中心としたさまざまな応用が期待されている。^[1]半導体デバイスのプロセスにおいて、低損傷で高アスペクト構造を形成できるエッチング技術は、デバイス応用の多様性と性能向上をもたらすキーテクノロジーである。参加我々は、これまでに減圧水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応を利用した水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法を提案し、GaNナノ構造の形成やInGaN/GaNナノLEDの作製について報告してきた。本稿では、HEATE法をb-Ga₂O₃に適用し、そのエッチング特性について初期的な評価を行ったので報告する。