[11a-S421-1~12] 3.9 Terahertz technologies

[11a-S421-8] Controlling Polarization Characteristics of
A Grating-Gate Plasmonic THz Detector by Introduction of 2D Nanoantennas

〇Taku Saito¹, Masaya Suzuki¹, Tomotaka Hosotani¹, Tetsuya Suemitsu², Yuma Takida³, Hiromasa Ito³, Hiroaki Minamide³, Taiichi Otsuji¹, Akira Satou¹ (1.RIEC, Tohoku Univ., 2.CIES, Tohoku Univ, 3.RAP, RIKEN)

Keywords:Plasmon, HEMT

我々は，非対称二重格子ゲートを有するInP系高電子移動度トランジスタ（Asymmetric Dual-Grating-Gate High-Electron-Mobility Transistor; A-DGG HEMT）の開発を行い，その高い検出感度を実証してきた．A-DGG HEMTはチャネル長方向（ソース・ドレイン方向）に周期性を持つ一次元金属格子ゲートを有しており，入射THz波と二次元プラズモンを高効率に結合させる．しかしながら一次元格子ゲート構造では，入射THz波偏光のうちチャネル長方向成分のみが二次元プラズモンと広帯域に結合可能である．そこで本稿では，二重格子ゲート構造の一つのゲートを二次元ナノアンテナ構造に置き換えた新規ディテクタの試作・評価を行い，ナノアンテナ導入によってチャネル幅方向の偏光に対しても広帯域な検出が可能になることを確認した．