[11a-S422-1~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[11a-S422-3] SiドープGaAsNにおける電子活性化エネルギーのSi不純物濃度依存性

〇塚崎 貴司¹、日吉 連¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：GaAsN、電子活性化エネルギー、局在準位

GaAsNは窒素組成([N])の増加にともなってバンドギャップエネルギーが大きく減少する特性をもち，GaAs基板上での多接合型太陽電池の1.0 eV帯材料への応用が期待されている。このようなデバイスの実現に向けては，pn接合を構成するSiドープGaAsNのSiドーピング機構の解明は不可欠である。我々は現在までに，SiドープGaAsNにおける室温でのSi原子の活性化率が[N]の増大にともなって大きく減少することを確認した。さらに，低いSi不純物濃度において電子の活性化エネルギーが71 meVとなることを明らかにし，伝導電子が伝導帯の下端付近に存在する局在準位に落ち込むことによるものと解釈した。今回は，より大きい[Si]における電子濃度の温度特性から，SiドープGaAsNの電子活性化エネルギーや伝導帯下端付近の局在準位について詳細な検討を行ったので報告を行う。