[11a-S422-1~10] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[11a-S422-5] Fabrication of GaAsPN subcell toward monolithic III-V/Si multijunction solar cells

〇(M1C)Toshiki Takachi¹, Keisuke Yamane¹, So Hikosaka¹, Junya Fujimoto¹, Hiroto Sekiguchi¹, Hiroshi Okada¹, Akihiro Wakahara¹ (1.Toyohashi Tech)

Keywords:compound solar cell, dilute nitride

Si格子整合系GaAsPN太陽電池を作製したため報告する。結晶成長にはRF-MBE法を用い、N組成5 %および2.8 %の試料を作製した。結果として、N組成5 %および2.8 %の試料では、それぞれ効率が0.039 % , 0.66 %という値が得られた。これはN組成5 %の試料がNに起因する欠陥の影響を受けているためであると考えられ、今後改善が必要である。結論として、Si格子整合系GaAsPN太陽電池の作製ができ、モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池への見通しが得られた。