[11a-W331-1~9] 3.15 Silicon photonics

[11a-W331-6] Light emission from inverted-rib Ge layers on Si toward on-chip light source

〇Motoki Yako¹, Chan-Hyuck Park², Donghwan Ahn², Kazumi Wada³, Yasuhiko Ishikawa⁴ (1.Univ. of Tokyo, 2.Kookmin Univ., 3.Massachusetts Inst. of Tech., 4.Toyohashi Univ. of Tech.)

Keywords:Germanium, light emitter

ヘテロエピタキシャル層中の貫通転位密度を低減するinverted-rib構造を用いて成長したSi上Geの発光特性を、光励起により評価した。
入射光強度が20 kW/cm²を超えると急激な発光強度の増大が見られた。