[11a-W331-1~9] 3.15 Silicon photonics

[11a-W331-7] Optical absorption in Ge layers grown on SOQ and SOS wafers

〇(M1)Kyosuke Noguchi¹, Michiharu Nishimura², Junji Matsui³, Yoshiyuki Tsusaka³, Yasuhiko Ishikawa¹ (1.Toyohashi Univ. of Tech, 2.Univ. of Tokyo, 3.Univ. Hyogo)

Keywords:germanium, optical absorption, lattice strain

Ge層を、Siよりも熱膨張係数の小さい石英を下地基板とするSOQ (Si-on-Quartz)基板および熱膨張係数の大きいサファイアを下地基板とするSOS (Si-on-Sapphire)基板へ成長することで格子ひずみ・光吸収端の制御を試みた。
光吸収スペクトルは、SOI基板上Geと比較して、SOQ基板上Geでは長波長側に約50 nmシフトし、SOS基板上Geでは短波長側に約70 nmシフトした。