[11a-W331-1~9] 3.15 Silicon photonics

△ [11a-W331-8] Fabrication of GeSn MSM Diode on SOI Substrate by Solid-Phase Epitaxy

〇Hiroshi Oka¹, Wataru Mizubayashi¹, Yuki Ishikawa¹, Takuji Hosoi², Takayoshi Shimura², Heiji Watanabe², Tatsuro Maeda¹, Noriyuki Uchida¹, Kazuhiko Endo¹ (1.AIST, 2.Osaka Univ.)

Keywords:GeSn, Photodiode, Solid-Phase Epitaxy

GeSnはSn添加によりバンドギャップが縮小するため、IV族の中赤外受光材料として期待されている。我々はこれまでにSi基板上にGeSn結晶層を直接成長させる手法として、アモルファスGeSnの低温堆積と固相エピタキシーによる単結晶GeSn薄膜形成を報告している。本研究ではGeSn中赤外受光素子に向け、固相エピタキシー法を用いてSOI基板上GeSn MSMフォトダイオードを作製したので報告する。