[11a-W351-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

[11a-W351-2] Crystal growth of HfO₂ films on n⁺-Si (100) substrates by mist chemical vapor deposition and evaluation of its electrical characteristics

〇(D)Daisuke Tahara¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Minoru Noda¹, Shota Sato², Toshiyuki Kawaharamura², Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. Tech., 2.Kochi Univ. Tech.)

Keywords:Hafnium oxide, mist CVD, ferroelectrics

近年、強誘電性を発現する準安定相二酸化ハフニウム(HfO₂) 薄膜材料が注目され、強誘電体キャパシタ／同ゲートトランジスタなどへの応用が精力的に研究されている。本研究では、三次元立体微細構造の被覆性に優れる気相成長技術の一種であるミストCVD法を用いてこの強誘電体HfO₂薄膜の成長を試みた。