[11a-W351-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [11a-W351-4] Preparation of Y, Zr-doped HfO₂ thin film by PLD method and their characterization.

〇(M1C)Yuuki Tasiro¹, Takanori Mimura¹, Takao Shimizu¹, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:Ferroelectric, Thin film, Hafnium oxide

極薄膜で強誘電特性を示すHfO₂は、Siプロセスとの整合性が良く、微細加工などのしやすさから近年注目が集まっている。本研究では更なる特性の向上と新規な研究としてHfO₂にY, ZrをドープしたHf-Zr-Y-O薄膜を作製し評価を行った。