9:45 AM - 10:00 AM
△ [11a-W351-4] Preparation of Y, Zr-doped HfO2 thin film by PLD method and their characterization.
Keywords:Ferroelectric, Thin film, Hafnium oxide
極薄膜で強誘電特性を示すHfO2は、Siプロセスとの整合性が良く、微細加工などのしやすさから近年注目が集まっている。本研究では更なる特性の向上と新規な研究としてHfO2にY, ZrをドープしたHf-Zr-Y-O薄膜を作製し評価を行った。