[11a-W631-1~10] 3.11 Photonic structures and phenomena

[11a-W631-6] Mode analysis of Si-based topological edge state waveguide

〇(M1)Hibiki Kagami¹, Tomohiro Amemiya^1,2, Koichi Saito¹, Makoto Tanaka¹, Kesuke Masuda¹, Nobuhiko Nishiyama^1,2, Xiao Hu³, Shigehisa Arai^1,2 (1.Tokyo Tech, 2.IIR, 3.NIMS)

Keywords:topological photonics, silicon photonics

トポロジカル絶縁体やワイル半金属などにおける電子系のトポロジーをフォトンの系にトレースする試みは、トポロジカルフォトニクスと呼ばれ、近年急速に進展している。特に、C₆対称性を有する誘電体が蜂の巣格子状に配列された構造におけるZ₂トポロジーの発現は、特殊な光伝搬が可能なトポロジカルエッジ状態を実現できることから様々な応用が期待されている。そのような中、我々は従来型の光回路にトポロジカルフォトニクス系を導入することを目指している。
今回、トポロジカルフォトニクス系において最も基本となる構成要素であるSi系トポロジカルエッジ伝送路の断面を含む導波モードを時間領域差分法（FDTD法）により解析したので、ご報告する。