[11a-W934-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [11a-W934-10] Third-Phase Evaluation of Minority Carrier Lifetime in FZ-Si Affected by Si-IGBT Process

〇Hiroto Kobayashi¹, Ryo Yokogawa^1,2, Kosuke Kinoshita¹, Yohichiroh Numasawa¹, Atsushi Ogura¹, Shin-ichi Nishizawa³, Takuya Saraya⁴, Kazuo Ito⁴, Toshihiko Takakura⁴, Shin-ichi Suzuki⁴, Munetoshi Fukui⁴, Kiyoshi Takeuchi⁴, Toshiro Hiramoto⁴ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.Kyushu Univ., 4.Univ. of Tokyo)

Keywords:carrier lifetime, IGBT

Si絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Si-IGBT)は高耐圧パワー半導体デバイスとして今後の主流になると期待され、3Dスケーリング等の開発が進められている。さらに、Si-IGBTの性能向上にはキャリアライフタイム制御も重要である。
Si-IGBT製造には、周囲に空乏層を作り耐圧を高めるためにガードリングを形成する必要がある。このガードリングを形成するプロセスでは、1100℃、3 hourの高温ウエット酸化処理で約1 μmのマスク酸化膜を形成し、リソグラフィとエッチングでパターンを形成し、Bイオン注入を行う。続いて1100℃、20 hourの拡散処理を行なっている。本研究では、高温ウエット酸化処理プロセスにより、酸素がFZ-Si中に注入され、少数キャリアライフタイムが減少することを見出したので報告する。