[11a-W934-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [11a-W934-10] Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-III-

〇小林 弘人¹、横川 凌^1,2、木下 晃輔¹、沼沢 陽一郎¹、小椋 厚志¹、西澤 伸一³、更屋 拓哉⁴、伊藤 一夫⁴、高倉 俊彦⁴、鈴木 慎一⁴、福井 宗利⁴、竹内 潔⁴、平本 俊郎⁴ (1.明治大理工、2.学振特別研究員、3.九州大工、4.東京大工)

キーワード：キャリアライフタイム、IGBT

Si絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Si-IGBT)は高耐圧パワー半導体デバイスとして今後の主流になると期待され、3Dスケーリング等の開発が進められている。さらに、Si-IGBTの性能向上にはキャリアライフタイム制御も重要である。
Si-IGBT製造には、周囲に空乏層を作り耐圧を高めるためにガードリングを形成する必要がある。このガードリングを形成するプロセスでは、1100℃、3 hourの高温ウエット酸化処理で約1 μmのマスク酸化膜を形成し、リソグラフィとエッチングでパターンを形成し、Bイオン注入を行う。続いて1100℃、20 hourの拡散処理を行なっている。本研究では、高温ウエット酸化処理プロセスにより、酸素がFZ-Si中に注入され、少数キャリアライフタイムが減少することを見出したので報告する。