[11a-W934-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[11a-W934-8] Profile Control of Phosphorus Ion by Sn Co-implantation in Germanium

Ryota Wada¹, 〇Yoshimori Suzuki¹, Tsutomu Nagayama¹, Takashi Kuroi¹, Tadashi Ikejiri¹, Hideaki Tanimura², Takayuki Aoyama², Shinichi Kato² (1.NISSIN ION EQUIPMENT CO.,LTD., 2.SCREEN Semiconductor Solutions Co., LTD.)

Keywords:Germanium, ion implantation

GeはSiよりも4倍の正孔移動度、2.5倍の電子移動度を有しており、Siの代替材料として期待されている。しかし、Ge結晶中では、n型ドーパントの異常拡散が起こるため、浅い接合形成が難しい。本研究では、浅い接合形成のため、p型Ge基板に対し、n型ドーパントであるP⁺を注入し、さらにSn⁺を共イオン注入することでPのプロファイルを制御できることについて報告する。