[11a-W934-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[11a-W934-8] Snイオン注入によるGe基板中のPプロファイル制御

和田 涼太¹、〇鈴木 良守¹、永山 勉¹、黒井 隆¹、池尻 忠司¹、谷村 英昭²、青山 敬幸²、加藤 慎一² (1.日新イオン機器、2.SCREENセミコンダクターソリューションズ)

キーワード：ゲルマニウム、イオン注入

GeはSiよりも4倍の正孔移動度、2.5倍の電子移動度を有しており、Siの代替材料として期待されている。しかし、Ge結晶中では、n型ドーパントの異常拡散が起こるため、浅い接合形成が難しい。本研究では、浅い接合形成のため、p型Ge基板に対し、n型ドーパントであるP⁺を注入し、さらにSn⁺を共イオン注入することでPのプロファイルを制御できることについて報告する。