[11p-70A-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11p-70A-10] Observation of a short lifetime layer by buried N/V co-doping in 4H-SiC

〇Keisuke Nagaya¹, Takashi Hirayama¹, Takeshi Tawara^2,3, Koichi Murata⁴, Hidekazu Tsuchida⁴, Masashi Kato¹ (1.Nagoya Inst. Tech., 2.AIST., 3.Fuji Electric Co., Ltd., 4.CRIEPI.)

Keywords:lifetime, SiC

4H-SiCバイポーラデバイスにおいて、ドリフト層中の所望の深さのライフタイム制御は重要である。N/Vコドープしたエピ層は、Nのみドープしたエピ層と比較して、はるかに短いライフタイムを示した。本研究は高い空間分解能での測定が可能なFCA法を用い、ドリフト層中の埋め込み型N/Vコドープによる局所的な短ライフタイム層を観測した。