[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-12] 4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における基底面転位深さと積層欠陥拡大電流密度の関係

〇林 将平^1,2、山下 任^1,3、先崎 純寿¹、中山 浩二¹、森塚 真由美¹、米澤 喜幸¹、加藤 智久¹、児島 一聡¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.昭和電工)

キーワード：SiC、積層欠陥、基底面転位

4H-SiCバイポーラデバイスの順方向通電劣化について、これまでに我々は、エピ/基板界面より基板側で貫通刃状転位(TED)に転換した基底面転位(BPD)を起源としてシングルショックレー型積層欠陥(1SSF)が拡大することを明らかにした。本研究では、BPDのTED転換深さと1SSF拡大電流密度の関係についてTEM、SEM観察を用いて詳細に調査した。その結果、TED転換深さが深い位置にあるBPD程、高い電流密度にて1SSFが拡大することが明らかになった。