[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-13] 高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上のエピタキシャル層に通電によって拡張した積層欠陥の構造評価

〇寺西 秀明¹、斎藤 明¹、林 真吾¹、宮里 真樹¹、宮島 将昭¹ (1.富士電機)

キーワード：SiC、積層欠陥、走査透過電子顕微鏡

高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上にエピタキシャル成長を行った後に、pnダイオード構造を形成し、バイポーラ通電を行った後にメタル電極を除去し、PL測定で帯状積層欠陥の拡張を確認した。この帯状積層欠陥について、球面収差補正STEMを用いたHAADF-STEM像により原子の配列を調査し、積層欠陥の種類を特定した。その結果、積層欠陥の種類は、Zhdanov表記で(6,2)*と表記されるDSF(ダブルショックレー型積層欠陥)であることがわかった。