[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-14] 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオンビーム照射の影響

〇(B)楢原 拓真^1,2、佐藤 真一郎²、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大工、2.量研)

キーワード：炭化ケイ素、窒素・空孔複合欠陥

炭化ケイ素(SiC)中の窒素・空孔複合欠陥(NcVsi-)は、生命科学や医療分野における量子計測・センシング（局所領域の高感度磁場・温度計測）への応用が期待されている。NcVsiはイオン照射と熱処理によって形成される。本研究では、点欠陥の導入に様々なイオン種を用いた場合の依存性を調べ、NcVsi-の形成条件や形成量の制御方法の解明を試みた。その結果、イオンビームの質量数が増加すると、少ないイオン照射量でPL積分強度が最大となることが分かった。