[11p-70A-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11p-70A-6] Development of Φ6inch 4H-SiC Crystals in High-temperature Gas Source Method

〇Takahiro Kanda¹, Takeshi Okamoto¹, Yuichiro Tokuda¹, Gen Suzuki¹, Nobuyuki Ooya¹, Emi Makino¹, Hideyuki Uehigashi¹, Norihiro Hoshino², Isaho Kamata², Hidekazu Tsuchida² (1.DENSO CORPORATION, 2.CRIEPI)

Keywords:SiC, Crystal growth

SiCデバイスの本格普及にむけ、低コストかつ高品質なSiC単結晶の製造技術の確立が要求されている。昇華法に比べ、低コスト高品質化の可能性がある高温ガス成長法において炉内構造及びプロセス条件を検討した。異種多形の発生抑制、応力による結晶の割れを解消し、φ6inchの4H-SiC結晶成長技術を開発した。