[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-6] 高温ガス成長法によるΦ6inch 4H-SiC結晶の開発

〇神田 貴裕¹、岡本 武志¹、徳田 雄一郎¹、鈴木 玄¹、大矢 信之¹、牧野 英美¹、上東 秀幸¹、星乃 紀博²、鎌田 功穂²、土田 秀一² (1.デンソー、2.電中研)

キーワード：炭化珪素、結晶成長

SiCデバイスの本格普及にむけ、低コストかつ高品質なSiC単結晶の製造技術の確立が要求されている。昇華法に比べ、低コスト高品質化の可能性がある高温ガス成長法において炉内構造及びプロセス条件を検討した。異種多形の発生抑制、応力による結晶の割れを解消し、φ6inchの4H-SiC結晶成長技術を開発した。