[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-7] ガス法で成長した4H-SiCバルク結晶における厚さ方向の転位密度変化

〇星乃 紀博¹、鎌田 功穂¹、徳田 雄一郎³、神田 貴裕³、杉山 尚宏^2,3、土田 秀一¹ (1.電中研、2.産総研、3.デンソー)

キーワード：炭化ケイ素、バルク結晶成長、転位

ガス法（高温CVD）により3 mm/hの結晶成長速度で得たn型4H-SiCバルク結晶に対して、表面研磨と転位密度評価を交互に繰返すことで、厚さ方向の転位密度を評価した。成長前の種結晶と比較して、大幅な転位密度の低減（貫通らせん転位：1/2、貫通刃状転位：1/10、基底面転位：1/20）を確認した。以上により、~3 mm/hの高い成長速度においても、転位密度の低減を示す高品質な結晶成長であることを確認した。