[11p-70A-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11p-70A-9] 4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイムマッピング

〇長屋 圭祐¹、平山 貴史¹、加藤 正史¹ (1.名工大)

キーワード：ライフタイム、SiC

高耐圧素子向けの 4H-SiC のデバイス製造歩留まりの向上にむけて、高い空間分解能を有するウ ェハ結晶品質評価は重要である。本研究室では、高い空間分解能での評価が可能である自由キャ リア吸収(FCA)法を用い、ライフタイム測定を行っている。そして、デバイスの局所的欠陥の 解析のために、4H-SiC ウェハ表面におけるライフタイムの二次元マッピングを試みた。