2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[11p-M136-1~14] 13.3 絶縁膜技術

2019年3月11日(月) 13:15 〜 17:15 M136 (H136)

渡邉 孝信(早大)、喜多 浩之(東大)、小林 清輝(東海大)

16:15 〜 16:30

[11p-M136-11] Crystallization of GeO2 on Ge is really triggered by GeO desorption?

Min Xie1、Tomonori Nishimura1、Takeaki Yajima1、Akira Toriumi1 (1.Univ. Tokyo)

キーワード:germanium, GeO2