2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[11p-M136-1~14] 13.3 絶縁膜技術

2019年3月11日(月) 13:15 〜 17:15 M136 (H136)

渡邉 孝信(早大)、喜多 浩之(東大)、小林 清輝(東海大)

16:30 〜 16:45

[11p-M136-12] Germaniumの高圧酸素熱酸化機構と形成されたGeO2膜の性質

王 旭1、西村 知紀1、〇鳥海 明1 (1.東大院工)

キーワード:ゲルマニウム

Geの高圧酸化機構について実験結果に基づいて議論し、形成されたGeO2膜の性質について大気圧酸化の場合と比較して議論する。