[11p-M136-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[11p-M136-5] シリコン同位体ナノピラー構造中における酸化増速自己拡散のアトムプローブ観測

〇木我 亮太郎¹、林 彩弥佳¹、宮本 聡¹、清水 康雄²、永井 康介²、遠藤 哲郎^3,4、伊藤 公平¹ (1.慶大理工、2.東北大金研、3.東北大CIES、4.JST-ACCEL)

キーワード：シリコン、拡散、アトムプローブ

超低消費電力で且つ高度集積化可能なデバイス構造として，縦型BC-MOSFETの研究開発が進められている．シリコンナノピラー周囲にゲート酸化膜を形成するためのプロセスモデリングには，シリコンナノ構造中の自己拡散の理解が欠かせない．本研究では，3次元アトムプローブ法をドライ酸化したSi同位体ピラーに適用し，ピラー構造中で酸化増速されたシリコン自己拡散現象を実験的に検証する．