[11p-M136-1~14] 13.3 絶縁膜技術

△ [11p-M136-7] High-kゲートスタック界面準位密度のフラッシュランプアニール温度依存評価

〇首藤 広大¹、吉仲 泰萌¹、藤原 広大¹、河原崎 光²、青山 敬幸²、加藤 慎一²、奈良 安雄¹ (1.兵庫県立大工、2.(株)SCREENセミコンダクターソリューションズ)

キーワード：フラッシュランプアニール、界面準位密度、high-kゲートスタック

High-k膜の特性向上のためにはHigh-k膜成膜後のPDA (Post-deposition Annealing)が必要であり、ミリ秒で熱処理が可能なFLA(Flash Lamp Annealing)を用いたPDAが提案されている。FLAには本加熱と予備加熱があり、どちらもHigh-k膜の特性に関与する重要なパラメータである。実用化にはFLA後の界面状態の評価が重要である。そのため、今回は本加熱と予備加熱の温度を振り分けて熱処理を行い、MOS構造を形成し界面準位密度D_itを求めて、本加熱と予備加熱の界面への効果を評価した結果を報告する。