[11p-PA6-1~7] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[11p-PA6-5] Observation of dislocations in PVT-grown AlN single crystal bulky substrate

〇Yongzhao Yao¹, Yoshihiro Sugawara¹, Yukari Ishikawa¹, Narihito Okada², Kazuyuki Tadatomo² (1.JFCC, 2.Yamaguchi Univ.)

Keywords:AlN, dislocation, etch pit

AlNは次世代パワー半導体材料として注目され、結晶成長やデバイス不良解析の観点から転位評価が重要な課題である。我々は前回まで、X線トポグラフィを用いてPVT法AlN基板の転位種類を調査し、基底面転位、貫通刃状、らせん、混合転位を確認した[1]。本発表では、エッチピットによりウエハ全面の転位を検出した上で、代表的エッチピットの直下に存在する転位のTEM観察を行い、転位のバーガースベクトルを同定した。