The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11p-PB3-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Mon. Mar 11, 2019 1:30 PM - 3:30 PM PB3 (PB)

1:30 PM - 3:30 PM

[11p-PB3-15] Impact of Dosage on Electrical Properties of Mg-Ion-Implanted GaN before High-Temperature Annealing (2)

〇(M1)Ryo Kamoshida1, Kei Uetake1, Shunta Murai1, Masamichi Akazawa1 (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, Ion Implantation

GaNデバイス作製プロセスにおいて、イオン注入技術が期待され、特にp型領域を形成するにはMgイオン注入が有効な手段となる可能性が高いが、未だ完成された技術とはなっていない。技術確立のためには、Mgイオン注入により、GaNバルク中および表面において発生する欠陥準位や表面準位について調べ、それらの熱的な振る舞いを理解することが重要である。本報告では、Mgイオン打ち込みを行ったGaNに対し、アクセプタ活性化アニールを施す前の電気的特性において、低温アニールが与える影響についてドーズ量を変えて調べた。