[11p-PB3-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[11p-PB3-18] Simulation Study on Electric Field in GaN PN Diodes with Beveled-Mesa Structure

〇Takuya Maeda¹, Tetsuo Narita², Hiroyuki Ueda², Masakazu Kanechika², Tsutomu Uesugi², Tetsu Kachi³, Tsunonobu Kimoto¹, Masahiro Horita^1,3,4, Jun Suda^1,3,4 (1.Kyoto Univ., 2.Toyota Central R&D Labs., Inc., 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Edge Termination, Breakdown

パワーデバイスの高耐圧化には，素子端部における電界集中を緩和する終端構造が必要である．本研究では，端部終端構造としてベベルメサ構造を検討し，TCADシミュレーションを用いて電界集中緩和の効果を調べた．上部p層のアクセプタ密度を低く，メサ角度を小さくすることで，電界集中を十分に緩和できることが分かった．ベベルメサ構造は，比較的低耐圧(～1.2 kV)な素子，あるいは，絶縁破壊の基礎研究のための終端構造として有用である．