2019年第66回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2019年3月11日(月) 13:30 〜 15:30 PB3 (武道場)

13:30 〜 15:30

[11p-PB3-19] 基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の窒化物半導体応用

馬場 真人1、垣内 佑斗1、岡田 浩1、古川 雅一2、山根 啓輔1、関口 寛人1、若原 昭浩1 (1.豊技大、2.アリエースリサーチ)

キーワード:窒化物半導体、シリコン酸化膜、CVD