[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-20] 基底状態酸素原子励起化学気相堆積法を用いた絶縁ゲート型GaN系トランジスタの検討

〇中村 健人¹、馬場 真人¹、岡田 浩¹、古川 雅一²、関口 寛人¹、山根 啓輔¹、若原 昭浩¹ (1.豊技大、2.アリエースリサーチ)

キーワード：窒化物半導体、半導体プロセス技術